Intel uviedol prototyp nového, ultra-rýchleho a pritom energeticky veľmi nenáročného tranzistoru z nového materiálu, ktorý sa môže stať základom mikroprocesorov a ďalších integrovaných obvodov v druhej polovici budúceho desaťročia.
Vedci spoločností Intel a QinetiQ spoločne vyvinuli nový tranzistor, ktorý pri vedení elektrického prúdu používa indium antimonid (chemický symbol: InSb). Tranzistory v čipe riadia tok informácií, resp. elektrického prúdu. Nový prototyp tranzistoru je oveľa rýchlejší a potrebuje menej energie, ako predtým vyvinuté tranzistory. Spoločnosť Intel odhaduje, že kombináciou kremíka a nového materiálu sa znovu podarí predĺžiť platnosť Moorovho zákona.
Významné úspory energie na úrovni tranzistorov, ktoré sú doplnené značným nárastom výkonu môžu hrať kľúčovú úlohu vo vývoji nových platforiem počítačov, ktoré užívateľom prinesú viac možností a nové funkcie. Výrazne nižšia spotreba energie, a tým aj zníženie vyžarovaného tepla, môže významne predĺžiť životnosť batérií mobilných produktov a umožniť výrobu ešte menších a výkonnejších zariadení.
Materiál InSb patrí k polovodičovým zlúčeninám triedy III-V, ktoré sa v súčasnosti používajú v špeciálnych integrovaných obvodoch, ako sú zosilňovače rádiových vĺn, mikrovlné zariadenia a polovodičové lasery.
Vedci spoločností Intel a QinetiQ už v minulosti predstavili tranzistory s InSb kanálmi. V porovnaní s nimi sú dnešné prototypy s hradlom o dĺžke 85 nm o viac ako polovicu menšie, a tým sa stávajú úplne najmenšími tranzistormi tohoto typu. Predvčerom boli nové tranzistory prvýkrát uvedené do výroby. Tranzistory obohateného typu (enhancement mode) sa najčastejšie používajú práve v procesoroch a ďalších logických obvodoch. Nové tranzistory pracujú pri nižšom napätí, okolo 0,5 voltu – zhruba polovica toho, čo potrebujú tranzistory v dnešných čipoch – čo znamená, že čipy majú celkovo výrazne nižšiu spotrebu energie.
